ذاكرة الوصول العشوائي الساكنة بمقحل واحد
 | يفتقر محتوى هذه المقالة إلى الاستشهاد بمصادر. (يناير 2022) |
ذاكرة الوصول العشوائي الساكنة بمقحل واحد (بالإنجليزية: 1T-SRAM) وهي ذاكرة شبيه بالساكن تم تصميمها من قبل شركة موسيس (MoSys)، وهي أكثر كثافة من ذاكرة الوصول العشوائي الساكنة. فهي تستخدم مقحلا واحد لتخزين كل بت مثل ذاكرة الوصول العشوائي الدينمكية لكنها تحيط هذا المقحل بدائرة تحكم لتعمل مثل ذاكرة الوصول العشوائي الساكنة.
مراجع[عدل]
 | هذه بذرة مقالة عن عتاد الحاسوب بحاجة للتوسيع. فضلًا شارك في تحريرها. |