انتقل إلى المحتوى

ملف:Threshold formation nowatermark.gif

محتويات الصفحة غير مدعومة بلغات أخرى.
من ويكيبيديا، الموسوعة الحرة

Threshold_formation_nowatermark.gif(722 × 328 بكسل حجم الملف: 267 كيلوبايت، نوع MIME: image/gif، ‏ملفوف، ‏24 إطارا، ‏3٫6ث)

ملخص

الوصف
English: Formation of channel (electron density) and attainment of threshold voltage (IV) in a nanowire MOSFET. Note that the threshold voltage for this device lies around 0.45V. OMENwire on www.nanoHUB.org Link: http://nanohub.org/resources/omenwire
التاريخ
المصدر عمل شخصي
المؤلف Saumitra R Mehrotra & Gerhard Klimeck, modified by Zephyris

ترخيص

Public domain أنا، مالِك حقوق تأليف ونشر هذا العمل، أجعله في النِّطاق العامِّ، يسري هذا في أرجاء العالم كلِّه.
في بعض البلدان، قد يكون هذا التَّرخيص غيرَ مُمكنٍ قانونيَّاً، في هذه الحالة:
أمنح الجميع حق استخدام هذا العمل لأي غرض دون أي شرط ما لم يفرض القانون شروطًا إضافية.

الشروحات

أضف شرحاً من سطر واحد لما يُمثِّله هذا الملف

العناصر المصورة في هذا الملف

يُصوِّر

٢٦ أغسطس 2010

تاريخ الملف

اضغط على زمن/تاريخ لرؤية الملف كما بدا في هذا الزمن.

زمن/تاريخصورة مصغرةالأبعادمستخدمتعليق
حالي16:57، 26 أغسطس 2010تصغير للنسخة بتاريخ 16:57، 26 أغسطس 2010722 × 328 (267 كيلوبايت)Zephyris{{Information |Description={{en|1=Formation of channel (electron density) and attainment of threshold voltage (IV) in a nanowire MOSFET. Note that the threshold voltage for this device lies around 0.45V. OMENwire on www.nanoHUB.org Link: http://nanohub.o

الصفحتان التاليتان تستخدمان هذا الملف:

الاستخدام العالمي للملف

الويكيات الأخرى التالية تستخدم هذا الملف:

اعرض المزيد من الاستخدام العام لهذا الملف.